单晶硅、多晶硅零部件广泛应用于集成电路干法刻蚀工艺腔体内。

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  Poly Silicon Outer UE

  材质： 多晶硅

  使用工艺：

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  C Shield Ring

  材质： 多晶硅

  使用工艺：

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  Si Upper Electrode

  材质： 单晶硅

  使用工艺：

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  Si Upper Electrode

  材质： 单晶硅

  使用工艺：

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  Si Ring

  材质： 单晶硅

  使用工艺：

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  Si Ring

  材质： 单晶硅

  使用工艺：